tlc和mlc有什么区别,mlc slc tlc 区别 _生活百科

1、mlc slc tlc 区别SLC，MLC和TLC三者的区别：
1、具体含义不同：
SLC即Single Level Cell ，速度快寿命长，价格较贵，约10万次擦写寿命。
MLC即Multi Level Cell，速度一般寿命一般，价格一般，约3000~10000次擦写寿命。
TLC即Trinary Level Cell ，也有Flash厂家叫8LC，速度慢寿命短，价格便宜，约500-1000次擦写寿命。
2、硬件情况不同：
大多数U盘都是采用TCL芯片颗粒，其优点是价格便宜，不过速度一般，寿命相对较短。而SSD固态硬盘中，MLC颗粒固态硬盘是主流，其价格适中，速度与寿命相对较好，而低价SSD固态硬盘普遍采用的是TLC芯片颗粒。
3、价格定位不同：
闪存颗粒的每一个cell最初只能写入1个二进制位，这种技术颗粒就叫SLC，因为结构简单，所以SLC颗粒读写速度超快，寿命也最长，但单位容量需要更多的存储颗粒，所以SLC颗粒最贵。
随着技术发展，闪存厂商为了进一步降低闪存成本，发明了TLC技术，即每一个cell可以写入3个二进制位。因为结构复杂，所以TLC颗粒速度较慢，寿命较短，相对SLC颗粒，TLC可以少用三分之二的颗粒写入同样的数据。
参考资料来源：百度百科-MLC
参考资料来源：百度百科-SLC MLC

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2、qlc和tlc和mlc有什么区别?由于闪存颗粒中存储密度存在差异，所以闪存又分为SLC、MLC、TLC和QLC 。简单的说，NAND闪存的基本原理，QLC容量大，但性能也变差了。
SLC：每个Cell单元存储1bit信息，也就是只有0、1两种电压变化，结构简单，电压控制也快速，反映出来的特点就是寿命长，性能强， P/E寿命在1万到10万次之间，但缺点就是容量低而成本高，毕竟一个Cell单元只能存储1bit信息。
MLC：每个cell单元存储2bit信息，需要更复杂的电压控制，有00,01,10,11四种变化，这也意味着写入性能、可靠性能降低了。其P/E寿命根据不同制程在3000-5000次不等。
TLC：每个cell单元存储3bit信息，电压从000到001有8种变化，容量比MLC再次增加1/3，成本更低，但是架构更复杂， P/E编程时间长，写入速度慢，P/E寿命也降至1000-3000次，部分情况会更低。寿命短只是相对而言的，通常来讲，经过重度测试的TLC颗粒正常使用5年以上是没有问题的。
QLC或者可以叫4bit MLC，电压有16种变化，但是容量能增加33%，就是写入性能、P/E寿命与TLC相比会进一步降低。具体的性能测试上，美光有做过实验。读取速度方面，SATA接口中的二者都可以达到540MB/S，QLC表现差在写入速度上。
因为其P/E编程时间就比MLC、TLC更长，速度更慢，连续写入速度从520MB/s降至360MB/s，随机性能更是从9500 IOPS降至5000 IOPS，损失将近一半。
分类
【tlc和mlc有什么区别,mlc slc tlc 区别】按种类分
U盘、CF卡、SM卡、SD/MMC卡、记忆棒、XD卡、MS卡、TF卡、PCIe闪存卡。
按品牌分
矽统（SIS）、金士顿、索尼、LSI、闪迪、Kingmax、鹰泰、创见、爱国者、纽曼、威刚、联想、台电、微星、SSK、三星、海力士。
以上内容参考：百度百科-闪存