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看V-NAND有哪些优势 V-NAND优势特点【介绍】

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我们介绍了3D-NAND闪存引入的背景 ， 应该可以大致了解三星V-NAND结构的含义 。本篇文章 ， 我们就继续来详细的了解一下V-NAND的内容 。先通过具体参数的对比 ， 感受一下V-NAND的优势：
从上表中 ， 我们可以看到 ， 与2D平面闪存相比 ， V-NAND垂直结构的闪存优势很显著 ， 主要集中在两点：
1. 容量增加：每个储存块(block)中的页数增加2倍 ， 每个储存块(block)中可以包含的字节数 ， 由1024K Bytes增加到了3*1024K Bytes. 字节数的增加 ， 代表中储存容量的增大;
2. 性能提升：V-NAND的每个页的写入时间为0.6ms ， 而平面NAND中的页写入时间是2ms, V-NAND足足快了1.4ms, 时间就是生命呀 。针对随机读方面 ， V-NAND和平面NAND只相差3us, 处于同一水平 。在储存块(block)擦除方面 ， V-NAND比平面NAND快了1ms.
上篇文章中 ， 我们提到了在2D平面NAND中 ， 随着制程进入20nm以下 ， 不一样储存单元cell之间的相互相扰效应越来越严重 ， 为了减少干扰效应 ， 三星在V-NAND中引入了电荷陷阱(Charge Trap Flash, CTF)的概念 ， 目的就是尽可能的消除储存单元之间的干扰 。
从上面的示意图中 ， 我们可以了解到：
在水平方向 ， 也即bit line方向 ， 不一样储存单元cell之间相距较远并且有绝缘层阻隔 ， 可以说在水平方向 ， 不一样储存单元cell之间的干扰基本不存在 。
在垂直方向 ， 不一样cell之间的距离达到40nm, 比平面NAND的十几nm要大很多 ， 所以 ， 在垂直方向 ， 不一样储存单元cell之间的干扰很小 。
在2D平面NAND中 ， 储存单元cell采用的是浮栅结构 ， 如下图左 ， 电荷存在浮栅导体中 。而在三星V-NAND中 ， 储存单元采用的是CTF结构 ， 电荷储存在绝缘体中 ， 如下图右 。与浮栅结构相比 ， CTF结构由于电荷储存在绝缘体中 ， 电荷更不容易跑出去 ， 所以 ， 在某种程度上 ， 可以说采用CTF结构的NAND闪存比采用浮栅结构的NAND闪存更加可靠 。
这里还要提一下 ， 在当下3D NAND技术中 ， 英特尔(Intel)和美光(Micron)发布的3D NAND依旧采用的浮栅结构 ， 这里不是要对比Intel/Micron和三星3D NAND优劣 ， 我们只是从技术角度分析哦 。Intel/Micron的3D NAND有自己的优化措施 ， 还是值得信赖的 。
我们刚才提到的不一样储存单元之间的干扰效应 ， 在这里我们看一副对比图：
【看V-NAND有哪些优势 V-NAND优势特点【介绍】】从上图中 ， 我们看到 ， 与平面NAND闪存相比 ， V-NAND储存单元cell的分布区间变窄了33% ， 变窄的好处就是减少了读写的错误几率 ， 让cell更加可靠 。另外 ， V-NAND的储存单元cell之间的干扰下降了84% ， 同样 ， 不一样储存单元cell之间的干扰减少 ， 也可以很大程度上提升NAND的可靠性 。
感兴趣并且预算允许的同学 ， 可以买个三星V-NAND固态硬盘玩玩 ， 你会很惊艳的!

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