随着唯捷创芯上市破发，国产射频芯片的终局之战提前到来 。
该来的迟早会来，行业各方都冷静下来，想想出路和未来，少一些乱象丛生，多一些回归产业本质，理性客观地来看待这场国产射频芯片终局之战 。
技术和市场是国产射频芯片终局之战的两个最重要战场 。资本市场留给国产射频芯片创业的时间不多了，短则3年，长则5年，如果不能上市或被并购，最后面临的就是出局 。
技术之争
在芯片行业，产品是技术的体现，技术是人才的体现，但技术又不仅仅是人才的体现，也是时间和资金的体现 。做出技术领先的芯片产品，需要人才、时间和资金的投入 。只有这三个要素同时到位，才能获得技术竞争力 。
技术优势和竞争力最终要落在产品上，用产品说话才有价值和意义 。对企业来说，不能落地的技术，不能转换成产品竞争力的技术，就不是真正有意义的技术 。
射频芯片技术在中国经历了近20年的发展，从蹒跚学步，到突飞猛进，离不开中国射频人的坚持和努力，离不开资本的青睐和加持 。今天，中国射频前端芯片技术和产品已经全面铺开，学习和追赶国外厂商 。下面对国产射频芯片技术和产品做个归纳和总结：
2G PA/3G PA:
国内从2006年开始量产2G PA至今已有16年，从开始采用砷化镓工艺到现在已全部采用CMOS工艺 。国产射频芯片公司做的既便宜又好 。
3G PA从2012年开始实现国产，砷化镓和CMOS工艺共存，纯粹的3G手机市场基本上没有了，PA就也没有了市场空间 。
Phase 2/Phase 5N:
到了4G PA，在MTK的主导下创新出Phase2架构，简称Phase2 PA 。这也是PA模组化最早的雏形，采用基板技术，几个不同DIE集成在一个封装里，并采用不同的工艺，集成PA和开关 。国内射频芯片公司花了三年时间集中研发取得了成功，又花了2年时间在技术上迭代才追上国外厂商 。
接着，在Phase2 PA的基础上升级到Phase 5N，进入到5G PA行列，技术上没有太多障碍 。
L-PAMiF：
Sub-6GHz UHB L-PAMiF对PA的设计难度大幅提升，n77/78/79 PA频率更高，带宽更宽，设计难度也就更大 。同时要求更高的功率，更高的集成度，增加集成LNA和滤波器，导致对散热要求更高 。国内头部射频芯片公司在2020年开始量产，到今天实现量产的国产射频芯片有四家，因而拉开了国产射频芯片公司之间的技术差距 。
PAMiD：
5G手机sub-3GHz PA模组方案，经历了Phase7到Pahse7L，把LNA整合到PAMiD，成了高集成度的L-PAMiD，该方案是目前最广泛使用的模组方案；接下来从Phase7L演进到Phase7LE，在MH L-PAMiD基础上增加EN-DC 。
国内在这个产品上都是空白，大量的滤波器被集成，相比L-PAMiF，集成度更高，研发难度更大 。PAMiD将进一步拉大国内射频芯片厂家之间的技术差距 。
WiFi FEM:
做WiFi4 FEM很容易，做WiFi5 FEM也不难，但做好WiFi6 FEM并实现正常量产，显然不是那么容易 。
WiFi FEM已经进入WiFi6时代，频段涉及2.4GHz、5GHz和6GHz 。没有全频段覆盖，不叫做WiFi FEM；没有现实WiFi6 FEM技术，不叫做WiFi FEM 。因为WiFi7已经来了，接下来要开始研发WiFi7 FEM 。
Cat.1 PA:
Cat.1 PA是Phase2 PA的缩减版，相同的技术 。难度在于谁能把尺寸做小，把成本做低 。
BT FEM:
蓝牙FEM的技术门槛低，采用CMOS工艺，研发相对简单 。市场很小，却有近10家国产BT FEM 。
UWB FEM:
UWB FEM跟BT FEM类似，采用CMOS工艺，没有线性技术指标要求，功率要求不高，但频率从6G-9GHz，属于高频宽带 。整体来说，技术难度不大，技术上没有演进，做完即结束，国内在做的也有好几家 。
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